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小村贵吉幸村贵吉 教授hjc888黄金城中国官方网站尖端科学与工程学院尖端物理系
| 群组 | 纳米技术/材料，其他其他：二维图像传感器的开发、放射线探测器的开发 |
| 研究/技术关键字 | 天体物理学、天文学、X射线天文学、辐射物理学 |
| 研究/技术主题 |
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| 研究与技术内容 | 我们正在开发一种低噪声 X 射线 CCD，甚至可以检测微弱的 X 射线。通过保持低噪声，可以逐个测量每个入射 X 射线光子（光子计数），从而可以在像素级别同时测量 X 射线的入射位置和入射 X 射线的能量（波长）。正在开发的X射线CCD是背照式CCD，耗尽层厚达200微米，能够测量从05keV（千电子伏特）的低能X射线到超过10keV的高能X射线的宽能带X射线。此外，由于X射线CCD对可见光和紫外光敏感，因此我们还开发了阻挡可见光和紫外光的薄膜，并且还在开发镀有薄膜的X射线CCD。我们还在开发 SOICMOS 传感器，作为继 X 射线 CCD 之后的下一代 X 射线探测器。 SOICMOS传感器实现了1微秒或更短的光电子读出速度，比CCD更快，并且是即使对于同步加速器辐射等极高强度X射线也能够进行光子计数的探测器。此外，CMOS 电路层使用钉扎耗尽二极管结构来减少噪声，这是 CMOS 传感器存在的问题。 |
| 工业用途 | ·SOI-CMOS传感器可以制造出具有500微米或更大耗尽层的传感器，尽管Si不仅对X射线而且对红外线都是透明的，但可以获取近红外波段的红外图像。它也可以用作线传感器，因为它可以高速获取二维图像。 |
| 产学界合作的可能形式 | 联合研究、委托研究 |
| 特定的产学合作形式 | X射线CCD正在与大阪大学、京都大学和Hamamatsu Photonics联合开发，SOI-CMOS传感器正在与京都大学、KEK、宫崎大学和LAPIS Semiconductor联合开发。 |
| 其他附属研究机构 | |
| 附属实验室 | 科学与工程学院物理系幸村实验室 |
| 专有研究设备 | X射线CCD、SOI-CMOS传感器、X射线发生器1台、脉冲管制冷机4台、涡轮分子泵4台、真空容器4台、恒温室1个、洁净室2个 |
| 可持续发展目标 |
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